（原标题：SRAMai 人妖，还没死！）
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跟着上一轮新工艺节点的出现，SRAM 微缩知难而退，预示着片上存储器价钱将越来越腾贵的黯澹改日。然则，与咱们当年所见的情况相背，SRAM 微缩光显并未罢手。
台积电通告，其N2 工艺本领（2nm 级） 与上一代节点比拟，在性能、能效和面积 (PPA) 方面有显耀检阅。然则，还有一件事台积电尚未公开商讨：SRAM 单位光显更小，SRAM 密度更高（38 Mb/mm^2），这将对下一代 CPU、GPU 和片上系统的资本和性能产生影响。
台积电行将推出的 N2 节点将给与全栅 (GAA) 纳米片晶体管，有望大幅裁减功耗并提高性能和晶体管密度。与 N3E 制造本领比拟，基于 N2 制造的芯片猜度功耗将裁减 25% 至 30%（在晶体管数目和频率疏导的情况下），性能将提高 10% 至 15%（晶体管数目和功率疏导），晶体管密度将提高 15%（保执疏导的速率和功率）。
但凭证台积电将于本年 12 月举行的 IEDM 会议上发表的论文，台积电 N2 的一个值得老成的方面是，该坐褥节点还将 HD SRAM 位单位尺寸安稳至约 0.0175 μm^2（使 SRAM 密度达到 38 Mb/mm^2），低于 N3 和 N5 的 0.021 μm^ 2 。
这是一项要害冲突，因为连年来 SRAM 的彭胀变得尤为贫乏。举例，台积电的 N3B（第一代 3nm 级本领）在这方面与 N5（5nm 级节点）比拟上风不大，而 N3E（第二代 3nm 工艺）的 HD SRAM 位单位大小为 0.021 μm^2，与 N5 比拟，在 SRAM 彭胀方面莫得上风。借助 N2，台积电终于得胜安稳了 HD SRAM 位单位大小，从而提高了 SRAM 密度。
台积电的 GAA 纳米片晶体管似乎是安稳 HD SRAM 位单位尺寸的主要鼓舞要素。GAA 晶体管通过用栅极材料皆备包围通说念，改善了对通说念的静电适度，有助于减少泄露，并允许晶体管在保执性能的同期安稳尺寸。这不错更好地安稳晶体管尺寸，这关于安稳 SRAM 单位等单个组件的尺寸至关要紧。此外，GAA 结构允许更精准地诊治阈值电压，这关于晶体管全体（尤其是 SRAM 单位）的可靠动手至关要紧，从而不错进一步安稳其尺寸。
当代 CPU、GPU 和 SoC 计算荒谬依赖 SRAM，因为这些处罚器严重依赖 SRAM 动作多半缓存，以高效处罚多半数据。从内存探望数据既滥用性能又耗电，因此弥散的 SRAM 对终了最好性能至关要紧。瞻望改日，对缓存和 SRAM 的需求将络续增长，因此台积电在 SRAM 单位尺寸方面的成立具有荒谬要紧的真义。
本年早些时代，台积电示意，N2 的全栅极纳米片晶体管终澄莹越过 90% 的主义性能，256 Mb（32 MB）SRAM 器件的良率在某些批次中越过 80%。浪漫 2024 年 3 月，256 Mb SRAM 的平均良率已达到约 70%，较 2023 年 4 月的约 35% 大幅高潮。器件性能也显流露稳步擢升，在不加多功耗的情况下终澄莹更高的频率。
https://www.tomshardware.com/tech-industry/sram-scaling-isnt-dead-after-all-tsmcs-2nm-process-tech-claims-major-improvements
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